型号:BSO215C | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Infineon Technologies |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC |
系列 | SIPMOS® |
制造商 | Infineon Technologies |
FET型 | N 和 P 沟道 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 3.7A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 100 毫欧 @ 3.7A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2V @ 10µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 11.5nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 246pF @ 25V |
功率_最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
深圳市鹏顺兴科技有限公司 | 谭小姐0755-23063133/83238712 |
深圳信泰电子器材有限公司 | 廖先生0755-83242658 |
深圳市赛尔通科技有限公司 | 李先生086-0755-83663430 |
深圳市春涛电子有限公司 | 王云0755-82563615 82563213 |
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深圳市华胜英科技有限公司 | 郭13711580601 |
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