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电子元器件详细资料 » IC[13043] » BSO215C
型号:BSO215C类别:FET - 阵列制造商:Infineon Technologies
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC
系列SIPMOS®
制造商Infineon Technologies
FET型N 和 P 沟道
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C100 毫欧 @ 3.7A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222V @ 10µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs11.5nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds246pF @ 25V
功率_最大2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SO
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市芯柏然科技有限公司欧阳0755-82533534
深圳市鹏顺兴科技有限公司谭小姐0755-23063133/83238712
深圳信泰电子器材有限公司廖先生0755-83242658
深圳市赛尔通科技有限公司李先生086-0755-83663430
深圳市春涛电子有限公司王云0755-82563615 82563213
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